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NTTFS4930N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
I D = 10 A
V GS = 10 V
1.0E ? 04
1.0E ? 05
1.0E ? 06
1.0E ? 07
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.1
1
1.0E ? 08
0.9
0.8
0.7
1.0E ? 09
1.0E ? 10
T J = 25 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
1.0E ? 11
150
10
15
20
25
30
800
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
11
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
9
Q T
600
C iss
8
7
400
C oss
6
5
4
Q gs
Q gd
200
0
0
C rss
5
10 15 20 25
30
3
2
1
0
0
2
4 6 8
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
V DD = 15 V
I D = 20 A
10
12
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V GS = 10 V
V DD = 15 V
I D = 15 A
25
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t f
t r
20
15
10
1
t d(on)
5
0
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
5
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
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